Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE85639R-T1-A

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

Paket/Kılıf
SOT-143R
Seri / Aile Numarası
NE85639R

NE85639R-T1-A Hakkında

NE85639R-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 100mA collector akımı ile çalışır. 200mW power dissipation kapasitesine sahiptir. 1.5-2.1dB noise figure ile düşük gürültülü RF amplifikasyon devrelerinde, özellikle mikrodalgalı haberleşme, uydu haberleşmesi ve radar uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-143R paket ile PCB entegrasyonu sağlanır. -55°C ile +150°C junction temperature aralığında çalışabilir. Mevcut durum itibariyle obsolete olarak listelenmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition 9GHz
Gain 13.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-143R
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-143R
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok