Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85639R-T1
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
- Paket/Kılıf
- SOT-143R
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85639R
NE85639R-T1 Hakkında
NE85639R-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekans çalışmaya uygun olan bu komponent, mikrodalgalı frekans amplifikatörleri, low noise amplifier (LNA) devreleri ve RF ön-amplifikatör uygulamalarında kullanılır. 12V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile sınırlandırılan bu transistör, 1.5-2.1dB noise figure karakteristiği sayesinde zayıf sinyallerin güçlendirilmesi gereken alıcı devrelerinde tercih edilir. 200mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 50@20mA DC akım kazancı ile RF tasarımcılarına esnek bir çözüm sunar. SOT-143R yüzeye monte paket, kompakt PCB tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-143R |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143R |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok