Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE85639-T1-R28-A

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

Paket/Kılıf
TO-253-4
Seri / Aile Numarası
NE85639

NE85639-T1-R28-A Hakkında

NE85639-T1-R28-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 200mW maksimum güç değerleriyle RF amplifikasyon, switching ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. 1.1dB gürültü şekli ve 13dB kazanç karakteristiği, 1GHz frekans bandında iyi performans gösterir. SOT-143 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C (Junction) sıcaklık aralığında çalışabilir. Uydu haberleşmesi, radar sistemleri, hava trafiği kontrolü ve diğer mikrodalgalı haberleşme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition 9GHz
Gain 13dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-143
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok