Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85639-T1-R27-A
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85639
NE85639-T1-R27-A Hakkında
NE85639-T1-R27-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekanslı sinyal amplifikasyonunda kullanılır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımıyla çalışan bu bileşen, 1.1dB noise figure değeriyle düşük gürültülü RF devrelerinde tercih edilir. 13dB gain karakteristiği ve 200mW maksimum güç yeteneği sayesinde mikrodalga frekans bölgesinde uydu haberleşme, radar sistemleri ve kablosuz iletişim uygulamalarında kullanıma uygundur. SOT-143 SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arası işletme sıcaklığında çalışabilir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok