Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85639-T1-A
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85639
NE85639-T1-A Hakkında
NE85639-T1-A, CEL (California Eastern Laboratories) tarafından üretilen yüksek frekans NPN silikon transistörüdür. 2SC4093 ile aynı özelliklere sahip olan bu bileşen, RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7GHz transition frequency ile hızlı sinyal işlemeye uygun olup, 1.1dB gürültü figürü karakteristiğine sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 12V breakdown voltajı ile orta güç RF devrelerinde yer alabilir. Surface mount TO-253-4 pakajında sunulan transistör, 200mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Haberleşme, radar ve kablosuz uygulamalarında frekans amplifikasyonu için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok