Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85639-A
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85639
NE85639-A Hakkında
NE85639-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. 9GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF amplifikasyon devrelerinde, RF switch uygulamalarında ve yüksek frekans sinyal işleme sistemlerinde çalışmaya uygundur. 1.1dB tipik gürültü figürü ile alıcı (receiver) front-end tasarımlarında tercih edilebilir. 200mW maksimum güç dağılımı ve SOT-143 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımları için idealdir. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, alternatif bileşen seçimi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok