Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633L-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633L
NE85633L-A Hakkında
NE85633L-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 7GHz transition frequency ile yüksek frekans bölgesinde çalışmaya uygun olup, 12V kollektör-emitter breakdown voltajında 100mA maksimum kollektör akımını destekler. 1GHz'de 1.4-2dB noise figure ile düşük gürültü karakteristiği sunar. 9dB gain ile RF sinyal yükselticileri, LNA (Low Noise Amplifier) ve diğer RF ön-uç devrelerinde kullanılır. 200mW maksimum güç çıkışı ile uydu haberleşmesi, kablosuz iletişim ve radar sistemlerinde uygulanabilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok