Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-T1B-R25-A
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-T1B-R25-A Hakkında
NE85633-T1B-R25-A, CEL tarafından üretilen NPN silikon RF transistörüdür ve 2SC3356 ile eşdeğerdir. 7GHz transition frequency ve 11.5dB gain ile RF amplifikasyon uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 200mW güç dağıtımı ve 1.1dB gürültü figürü ile 1GHz'de çalışır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulur. VHF/UHF amplifikasyon, alıcı ön aşaması ve düşük gürültü RF devreleri tasarımında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 3-MINIMOLD |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok