Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-T1B-R24-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-T1B-R24-A Hakkında
NE85633-T1B-R24-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 7GHz transition frequency ile RF amplifikatör ve switch uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımı ve 12V Vce(br) dökülme voltajı ile düşük güç RF devrelerinde yer alır. 1.1dB tipik gürültü figürü ve 11.5dB kazanç değerleriyle RF ön uç amplifikaları, yükselteçler ve alıcı devrelerinde tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi ile pil destekli ve taşınabilir RF sistemlerinde uygulanabilir. Obsolete durumdaki komponent, kalitesi kanıtlanmış eski tasarımlarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok