Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-T1B-R23-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-T1B-R23-A Hakkında
NE85633-T1B-R23-A, CEL tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sağlanan bu komponent, 7GHz'e kadar transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V kollektör-emitter breakdown voltajı, maksimum 100mA kollektör akımı ve 200mW güç tüketimi kapasitesi ile RF amplifikatör devrelerinde, düşük gürültülü sinyal işleme uygulamalarında ve 1GHz civarında 1.1dB noise figure ile haberleşme sistemlerinde yer bulur. 20mA akımda minimum 50 hFE kazancı ile ön aşama amplifikasyon devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok