Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-T1B-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-T1B-A Hakkında
NE85633-T1B-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 7GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, 12V kollektor-emitter gerilimi, maksimum 100mA kollektor akımı ve 200mW güç kapasitesi ile çalışır. 1GHz'de 1.1dB gürültü şekli ve 11.5dB kazanç özelliğine sahiptir. Düşük gürültü RF amplifikatörleri, ön yükselticiler ve küçük sinyal anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Mevcut durumu 'Obsolete' olarak işaretlenmiş olup, stok malzeme olarak temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok