Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-T1B
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-T1B Hakkında
NE85633-T1B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. SOT-23 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7GHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 12V kollektör-emitter gerilimi dayanımı, 100mA maksimum kollektör akımı ve 200mW güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güçlü RF devreleri, LNA (Low Noise Amplifier), osilatör ve mixer uygulamalarında kullanılabilir. 1GHz'de 1.4-2dB tipik gürültü şekli sayesinde hassas alet ve iletişim sistemlerinde tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok