Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-R25-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-R25-A Hakkında
NE85633-R25-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7GHz transition frequency ile yüksek frekanslı devreler için uygundur. 12V Vce(BR)dss ile maksimum 100mA kolektör akımı sağlayabilir. 1.1dB gürültü figürü (1GHz'de) ve 11.5dB kazanç özellikleri ile, RF ön kademesi amplifikatörleri, düşük gürültülü alıcı tasarımları ve 1-7GHz aralığında çalışan haberleşme cihazlarında kullanılır. 200mW maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı sınırlaması vardır. Obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternatiflerin kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok