Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-R23-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-R23-A Hakkında
NE85633-R23-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 7GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 1.1dB noise figure değerine sahip olması, düşük gürültülü RF amplifikatör devrelerinde kullanımını destekler. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında 200mW güç tüketebilir. RF amplifikatörler, gürültü düşük amplifikatörler (LNA) ve mikro dalga frekans uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün üretimi sonlandırılmış olup (obsolete), yerine alternatif RF transistörler tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok