Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85633-A
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85633
NE85633-A Hakkında
NE85633-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 7GHz'e kadar transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi, 100mA maksimum collector akımı ve 200mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güçlü RF amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 1.1dB tipik noise figure değeri ile düşük gürültü uygulamalarında tercih edilebilir. Cihazın maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, RF ve microwave alıcı/verici devreleri, amplifikatörler ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Komponent mevcut üretimde bulunmamakta (obsolete) olup, varolan stoklar için değerlendirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok