Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85630-T1-R25-A
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85630
NE85630-T1-R25-A Hakkında
NE85630-T1-R25-A, CEL tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 4.5GHz transition frequency ve 9dB gain değerleriyle VHF/UHF frekans bantlarında sinyal amplifikasyonu ve switching uygulamalarında kullanılır. Maximum 100mA kollektor akımı ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük güç RF devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) ön aşamaları, mixer ve osilator devrelerinde uygulanır. 1.2dB noise figure karakteristiği, zayıf sinyallerin amplifikasyonunda gereken düşük gürültü performansı sağlar. SOT-323 yüzey montaj paketi, kompakt RF modül tasarımlarına uygun küçük form faktörü sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 150mW güç dissipasyonunda çalışabilir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok