Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85630-T1-R24-A
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85630
NE85630-T1-R24-A Hakkında
NE85630-T1-R24-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir RF NPN transistörüdür. 4.5GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 12V collector-emitter breakdown voltajına ve 150mW maksimum güç dağılımına sahiptir. 1.2dB noise figure ile düşük gürültülü RF amplifikatör devreleri, mikser ve düşük gürültü öncü aşamaları (LNA) gibi yüksek frekans sistemlerinde kullanılır. SOT-323 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 70'lik minimum DC akım kazancı ve 9dB gain değerleri ile uydu iletişimi, radar sistemleri ve RF sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. Maksimum 100mA collector akımı ve -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok