Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE85630-T1

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
NE85630

NE85630-T1 Hakkında

NE85630-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 4.5GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 1GHz-2GHz frekans aralığında 1.3dB-2.2dB noise figure sunmaktadır. Gain değeri 6dB-12dB arasında değişir. Surface mount paketi (SOT-323/SC-70) ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında ve 150mW güç tüketimiyle çalışabilir. Gürültü düşük RF alıcı, amplifikatör ve frekans dönüştürücü devrelerine uygulanır. Şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 4.5GHz
Gain 6dB ~ 12dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Obsolete
Power - Max 150mW
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok