Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85630-R25-A
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85630
NE85630-R25-A Hakkında
NE85630-R25-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen RF NPN transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 4.5GHz transition frekansında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile RF uygulamalarında kullanılır. 1.2dB noise figure (1GHz'de) ve 9dB kazanç değerleriyle düşük gürültü RF amplifikatör devrelerinde tercih edilir. Maksimum 150mW güç tüketimi ve 150°C operating temperature ile kompakt RF öncü kademeler, LNA (Low Noise Amplifier) ve mikrowav ön işaretçi uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı (hFE) 7mA ve 3V şartlarında minimum 125 değerindedir. Komponent obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok