Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85630-A
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85630
NE85630-A Hakkında
NE85630-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 4.5GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 1.2dB tipik noise figure (1GHz'de) sayesinde düşük gürültülü amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. 9dB kazanç karakteristiği ile sinyal güçlendirme uygulamalarında yer alır. Yüzey montajlı SC-70/SOT-323 pakette sunulan komponent, 150mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. RF front-end devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde kullanılır. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Bileşen obsolete statüde olup, arşiv uygulamaları ve eski tasarımların bakım ve onarımlarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok