Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE85619-T1-A

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE85619

NE85619-T1-A Hakkında

NE85619-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen, RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 4.5GHz transition frequency ile yüksek frekans çalışmalar için uygundur. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile RF amplifikatör, LNA (Low Noise Amplifier) ve diğer yüksek frekans devrelerde kullanılır. 1.2dB gürültü şekli ve 9dB kazanç özellikleri sayesinde zayıf sinyallerin güçlendirilmesinde tercih edilir. Surface mount SOT-523 paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 100mW maksimum güç dağılımı özellikleri endüstriyel uygulamalarda güvenli çalışma sağlar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 4.5GHz
Gain 9dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok