Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE85619-T1
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE85619
NE85619-T1 Hakkında
NE85619-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 4.5GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 1.4-2.2dB gürültü şekli 1-2GHz frekans aralığında spesifik RF sinyal güçlendirme ve LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında tercih edilir. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, kompakt RF devreler, mikro dalga haberleşme cihazları ve uydu haberleşme sistemlerinde uygulanır. 100mW maksimum güç dağılımı ile sınırlı güç bütçesi olan tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 6.5dB ~ 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok