Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE85619-A

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE85619

NE85619-A Hakkında

NE85619-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 4.5GHz transition frekansı ile RF amplifier ve switching uygulamalarında kullanılan yüzey monte bileşendir. 12V Vce(max) ve 100mA Ic(max) özelliğine sahip olup, 1.2dB gürültü figürü ile düşük gürültü uygulamalarında tercih edilir. 80 minimum hFE değeri ile 7mA kolektör akımında stabil kazanç sağlar. SOT-523 paket formatında sunulan bu transistör, mobil haberleşme, radar ve uydu haberleşme sistemlerinde LNA (Low Noise Amplifier) aşamaları ve RF ön işlemci devrelerde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 4.5GHz
Gain 9dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok