Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE851M33-T3-A
RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE851M33
NE851M33-T3-A Hakkında
NE851M33-T3-A, CEL tarafından üretilen yüksek frekans NPN BJT transistördür. 4.5GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 5.5V breakdown voltajı ile çalışır. 1.9-2.5dB tipik gürültü şekli 2GHz'de sağlar. 3-SMD düz çıkış paketinde sunulan bu transistör, radyo frekans amplifikatörleri, osilatörler ve düşük gürültülü ön yükseltici devrelerinde uygulanabilir. 130mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 130mW |
| Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok