Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE851M13-T3-A
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
- Paket/Kılıf
- SOT-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE851M13
NE851M13-T3-A Hakkında
NE851M13-T3-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipinde RF transistörüdür. Surface mount SOT-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük profil tasarımıyla kompakt elektronik uygulamalarına uygundur. 4.5GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2GHz'de 4dB-5.5dB kazanç ve 1.9dB-2.5dB noise figure özellikleriyle RF amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. 100mA maksimum collector akımı, 140mW maksimum güç ve 5.5V collector-emitter breakdown voltajı ile sınırlı güç uygulamalarına uygundur. Haberleşme, radar ve düşük güçlü RF cihazlarında yaygın olarak bulunmuştur. Bileşen şu anda obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Gain | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Package / Case | SOT-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 140mW |
| Supplier Device Package | M13 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok