Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68819-T1

RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE68819

NE68819-T1 Hakkında

NE68819-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 5GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu komponent, 6V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 1.7-2.5dB tipik noise figure değeri ile düşük gürültülü RF öncü aşamalarında (LNA), mikser ve amplifikatör devrelerinde uygulanabilir. 125mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 80 minimum DC gain (hFE) değerleri kontrollü amplifikasyon sağlar. SOT-523 (3-SuperMiniMold) paket tipi, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. -150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Komponent obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition 5GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 125mW
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (19)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok