Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE687M33-T3-A
RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE687M33
NE687M33-T3-A Hakkında
NE687M33-T3-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 12GHz transition frekansı ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. 3V collector-emitter breakdown voltajı, 30mA maksimum collector akımı ve 90mW güç yeteneğine sahiptir. 2GHz'de 1.5-2dB noise figure değeriyle düşük gürültü amplifikasyon gerektiren RF devrelerde tercih edilir. Surface mount 3-SuperMiniMold (M33) paketinde sunulan bu transistör, uydu haberleşme, radar sistemleri, kablosuz iletişim alıcı devreleri ve RF ön amplifikatör tasarımlarında uygulanır. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 1V koşullarında minimum 70 değeridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 12GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 90mW |
| Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok