Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE687M33-A

RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE687M33

NE687M33-A Hakkında

NE687M33-A, CEL tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 12GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamaları için tasarlanmıştır. 3V collector-emitter breakdown voltajı ve 30mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2GHz'de 1.5-2dB noise figure sunarak düşük gürültü RF ön kademelerinde uygulanabilir. Surface mount 3-SuperMiniMold (M33) paketinde üretilmiştir. Maksimum 90mW güç sınırlaması ile kablosuz haberleşme, radar sistemleri ve RF amplifikatör uygulamalarında değerlendirilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 12GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 90mW
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (M33)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok