Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE685M13-A

RF TRANS NPN 6V 12GHZ M13

Paket/Kılıf
SOT-3
Seri / Aile Numarası
NE685M13

NE685M13-A Hakkında

NE685M13-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 12GHz transition frequency ile RF amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6V maksimum collector-emitter gerilimi ve 30mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF devreleri için tasarlanmıştır. 2GHz'de 1.5-2.5dB gürültü şekli (noise figure) ile alıcı öncü evrelerinde (low-noise amplifiers) uygulanabilir. SOT-3 yüzey montajı paketi ile kompakt RF modülleri, kablosuz iletişim ekipmanları ve sensör RF frontend'lerinde kullanılmıştır. -55°C ile +150°C (junction) çalışma sıcaklığı aralığında çalışır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition 12GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-3
Part Status Obsolete
Power - Max 140mW
Supplier Device Package M13
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok