Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68519-T1-A
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68519
NE68519-T1-A Hakkında
NE68519-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 12GHz transition frequency ve 6V maximum collector-emitter breakdown voltajıyla, yüksek frekans haberleşme sistemlerinde kullanılan bir komponenttir. 30mA maksimum collector akımı, 11dB kazanç ve 1.5dB noise figure (2GHz'de) ile RF amplifikasyon uygulamalarında yer alır. SOT-523 yüzeye monte (SMD) paketinde sunulan bu transistör, 75 minimum DC akım kazancı ile 10mA collector akımında ve 3V VCE'de çalışır. 125mW maksimum güç dağıtımı ve 150°C maksimum junction sıcaklığıyla, mobil haberleşme, WLAN ve diğer RF amplifikasyon devrelerinde uygulanmıştır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
| Frequency - Transition | 12GHz |
| Gain | 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok