Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68519-T1
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68519
NE68519-T1 Hakkında
NE68519-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 12GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6V collector-emitter breakdown voltajı ve 30mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF devrelerinde, özellikle de 2GHz bölgesinde 1.5-2.5dB noise figure performansı sunar. SOT-523 yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Uydu haberleşmesi, cellular sistemleri, WLAN alıcıları ve genel amaçlı RF amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. 125mW maksimum güç ve 7.5dB kazanç ile orta seviye RF amplifikasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
| Frequency - Transition | 12GHz |
| Gain | 7.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok