Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE681M13-A
RF TRANS NPN 10V 7GHZ M13
- Paket/Kılıf
- SOT-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE681M13
NE681M13-A Hakkında
NE681M13-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 7GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 65mA maksimum collector akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 140mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle çalışır. 1,4-2,7dB tipik noise figure'a sahiptir. SOT-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük gürültülü RF amplifikatörleri, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımları ve 1GHz civarı frekans uygulamalarında tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 140mW |
| Supplier Device Package | M13 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok