Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE681M03-T1-A

RF TRANS NPN 10V 7GHZ M03

Paket/Kılıf
SOT-623F
Seri / Aile Numarası
NE681M03

NE681M03-T1-A Hakkında

NE681M03-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 7GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 65mA collector akımı, 10V breakdown voltajı ve 125mW güç disipasyonu kapasitesi ile düşük gürültülü amplifikasyon devrelerinde, özellikle 1GHz'de 1.4-2.7dB noise figure ile LNA (Low Noise Amplifier) uygulamalarında tercih edilir. SOT-623F SMD paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Uydu haberleşmesi, radar sistemleri ve geniş bant RF alıcı devrelerinde yaygın olarak kullanılmıştır. Parça şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 7GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-623F
Part Status Obsolete
Power - Max 125mW
Supplier Device Package M03
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok