Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68139R-T1

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

Paket/Kılıf
SOT-143R
Seri / Aile Numarası
NE68139R

NE68139R-T1 Hakkında

NE68139R-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistörüdür. 9GHz transition frequency ile RF amplifikatör ve low-noise amplifier (LNA) uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V breakdown voltajı ve 65mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç RF devreleri için uygundur. 1.2-2dB noise figure değeri ile sinyal zayıflama minimum seviyede tutulur. SOT-143R yüzey montajlı paket küçük alan tasarımları için idealdir. Mobil haberleşme, uydu iletişimi ve endüstriyel RF cihazlarında uygulanmış bir komponenttir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 200mW güç yönetimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 9GHz
Gain 13.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-143R
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-143R
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok