Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68139-T1-A
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68139
NE68139-T1-A Hakkında
NE68139-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistördür. 9GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 65mA kollektör akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW güç kapasitesi ile çalışır. 1.2dB noise figure değeri ile düşük gürültü amplifikatör ve RF alıcı devrelerinde uygulanabilir. SOT-143 yüzeye monte paket içinde sunulan bu transistör, mobil haberleşme, radar sistemleri ve RF sinyal işleme uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok