Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68139-T1

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

Paket/Kılıf
TO-253-4
Seri / Aile Numarası
NE68139

NE68139-T1 Hakkında

NE68139-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda çalışmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 65mA kolektör akımı ve 10V collector-emitter breakdown voltajı ile RF amplifikatör devrelerinde, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında ve mikro dalga frekans uygulamalarında kullanılır. SOT-143 Surface Mount paketi kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 1.2-2dB tipik noise figure değeri ile düşük gürültü gerektiren alıcı devrelerinde tercih edilir. 200mW maksimum güç harcaması ve 150°C üst işletme sıcaklığı endüstriyel uygulamalar için uygunluğunu gösterir. Not: Bu ürün EOL (End of Life) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 9GHz
Gain 13.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-143
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok