Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68133-T1B-R35-A

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NE68133

NE68133-T1B-R35-A Hakkında

NE68133-T1B-R35-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 9GHz transit frekansı ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun olarak tasarlanmıştır. 10V maksimum collector-emitter gerilimi ve 65mA maksimum collector akımı ile çalışan cihaz, 13dB kazanç sağlar. 1.2dB gürültü figürü (1GHz'de) ile düşük gürültülü RF sistemlerde kullanılabilir. 200mW maksimum güç ve 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Kazançlı RF yükselteç, mikser ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Hali hazırda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition 9GHz
Gain 13dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok