Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68133-T1B-R34-A
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68133
NE68133-T1B-R34-A Hakkında
NE68133-T1B-R34-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 10V maksimum collector-emitter gerilimi ve 9GHz transition frequency ile yüksek frekans RF devrelerinde kullanılmaya uygundur. 65mA maksimum collector akımı, 13dB kazanç ve 1.2dB gürültü şekli (1GHz'de) parametreleriyle, amplifikasyon ve anahtarlama işlevlerinde yer alır. 200mW maksimum güç harcaması ile RF sinyal işleme, küçük sinyal amplifikatörleri ve mikser devrelerinde uygulanır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey monte paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygunluğu vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok