Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68133-T1B-R33-A
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68133
NE68133-T1B-R33-A Hakkında
NE68133-T1B-R33-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 65mA maksimum collector akımı özelliklerine sahiptir. 1.2dB noise figure değeri ile düşük gürültüsü, 13dB kazanç ve 200mW maksimum güç derecelendirmesi ile RF amplifikatör, osilatör ve ön işlemci (pre-amplifier) devreleri tasarımına uygundur. Surface mount SOT-23-3 paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir. DC current gain (hFE) 20mA, 8V koşullarında minimum 50'dir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok