Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68133-T1B-A
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68133
NE68133-T1B-A Hakkında
NE68133-T1B-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir RF NPN bipolar junction transistördür. 9GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 65mA kollektör akımı, 10V Vce(max) derecelendirilmesi ve 200mW güç tüketimi kapasitesi ile kompakt RF amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. 1.2dB gürültü figürü ve 13dB kazanç özellikleri sayesinde düşük gürültü RF ön amplifikatörleri, mikser ve osilatör uygulamalarında tercih edilir. SOT-23 yüzey montaj paketi ile küçük form faktörlü tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok