Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68119-T1-A

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE68119

NE68119-T1-A Hakkında

NE68119-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 7GHz transition frequency ile yüksek frekans haberleşme sistemlerinde kullanılır. 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 65mA maksimum collector akımı ile düşük gücü amplifikasyon uygulamalarına uygundur. 1.4dB noise figure özelliği, hassas alıcı devrelerinde sinyal kalitesini korur. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulur ve 150°C'ye kadar çalışabilir. RF amplifikatörler, osilatörler ve low-noise amplifier (LNA) tasarımlarında tercih edilir. Halen üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 7GHz
Gain 10dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok