Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68119-T1

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SMINMOLD

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE68119

NE68119-T1 Hakkında

NE68119-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 7GHz geçiş frekansı ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 65mA kollektör akımı, 10V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 100mW maksimum güç disipasyonu özellikleriyle RF amplifikatör, osilatör ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. 1-2GHz frekans aralığında 1.4-1.8dB gürültü şekli ile düşük gürültü RF uygulamaları için tercih edilir. Gain değerleri 10-14dB aralığındadır. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek frekans mobil iletişim, radar ve test ekipmanları gibi uygulamalarda kullanılmıştır. Cihaz şu anda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 7GHz
Gain 10dB ~ 14dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (19)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok