Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68119-A

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
NE68119

NE68119-A Hakkında

NE68119-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. SOT-523 yüzey montaj paketine sahip bu bileşen, 7GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 10V Vce breakdown voltajı ve 65mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 1.4dB gürültü şekli (Noise Figure) 1GHz'de ölçülmüştür. Tipik 80 DC akım kazancı (hFE) ve 10dB kazanç değerleri ile RF amplifikatör, düşük gürültülü cihazlar ve frekans dönüştürme devrelerinde uygulanabilir. 100mW maksimum güç dissipasyonu ile sınırlı olan bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Kompakt boyutu ve yüzey montaj uyumluluğu ile yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir. Mevcut duruma göre üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition 7GHz
Gain 10dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok