Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68039R-T1-A
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R
- Paket/Kılıf
- SOT-143R
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68039R
NE68039R-T1-A Hakkında
NE68039R-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. 10GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 35mA maksimum collector akımı, 200mW güç kapasitesi ve 10V collector-emitter breakdown voltajı özellikleriyle düşük gürültü amplifikatörleri, RF ön uçları (front-end) ve low-noise LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında yer alır. 2-4GHz frekans aralığında 1.7-2.6dB gürültü figürü ve 6.5-11dB kazanç değerleriyle RF alıcı devrelerinde tercih edilir. SOT-143R surface mount paketi kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 6.5dB ~ 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-143R |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-143R |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok