Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68033-T1B-R45-A

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NE68033

NE68033-T1B-R45-A Hakkında

NE68033-T1B-R45-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 10GHz transition frequency ve 1.8dB gürültü figürü ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 35mA maksimum kolektör akımı, 10V kırılma gerilimi ve 200mW maksimum gücü ile düşük güç RF sinyal işleme, LNA (Low Noise Amplifier) devreleri, VCO (Voltage Controlled Oscillator) ve diğer GHz aralığı frekans uygulamalarında yer bulur. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketleme ile kompakt tasarımlara uyumludur. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışır. (Not: Bu parça üretilmemektedir.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition 10GHz
Gain 9dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok