Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68033-T1B-A
SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68033
NE68033-T1B-A Hakkında
NE68033-T1B-A, CEL tarafından üretilen NPN silikon RF amplifikasyon transistörüdür. 2SC3585 ile eşdeğer olan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. 10GHz transition frequency ile çalışan transistör, 8dB kazanç ve 1.8dB gürültü figürü sağlar. Maksimum 35mA kolektör akımı ve 200mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 6V koşullarında minimum 50 değerindedir. RF amplifikasyon, mikrodalgası ve haberleşme devrelerinde kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 8dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok