Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NE68033-A

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NE68033

NE68033-A Hakkında

NE68033-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 10GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 35mA maksimum collector akımı ve 10V breakdown voltajı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 200mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 1.8dB noise figure değeri ile haberleşme, radar ve uydu haberleşme cihazlarında amplifikasyon aşamalarında uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition 10GHz
Gain 9dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok