Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68019-T1-A
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68019
NE68019-T1-A Hakkında
NE68019-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. SOT-523 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 10GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 35mA maksimum kolektör akımı, 10V breakdown voltajı ve 100mW maksimum güç disipasyonu özellikleriyle, 2GHz'de 1.9dB noise figure sağlar. DC kazancı 5mA/3V koşullarında 80'dir. Genellikle RF amplifikatörler, güç amplifikatörleri ve frekans dönüştürücü devrelerde yer alır. Bileşen şu anda obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir. Maksimum işletim sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 9.6dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok