Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68019-T1
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68019
NE68019-T1 Hakkında
NE68019-T1, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. 10GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-523 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V maksimum collector-emitter voltajı ve 35mA maksimum collector akımı ile çalışır. 1-2GHz frekans aralığında 1.7-1.9dB noise figure değerine sahiptir. 9.6-13.5dB kazanç (gain) karakteristiği ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile RF amplifikatör ve ön yükselteç (low-noise amplifier) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 100mW maksimum güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığı ile mobil iletişim, uydu haberleşmesi ve radar sistemlerinde yer alabilir. Bileşen üretimi sonlandırılmış olup, satın alma ve prototipleme uygulamalarında eski stok kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 9.6dB ~ 13.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok