Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE68019-A
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE68019
NE68019-A Hakkında
NE68019-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörleridir. 10GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-523 yüzey montajlı paketlemede sunulan bu transistör, 1.9dB noise figure değeri ile düşük gürültülü amplifikatör devrelerinde, RF ön uçlarında ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 35mA kollektör akımı, 100mW güç dissipasyonu ve 10V çöküş gerilimi özellikleriyle portabl haberleşme cihazları, test ekipmanları ve veri iletişim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmıştır. Günümüzde yerini yeni teknolojilere bırakmış olup, eski tasarımlarda ikame veya onarım amacıyla kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 9.6dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok